固态硬盘决定电脑的什么性能（固态硬盘的好坏对电脑有什么影响） / 木子杰软件教程

之前咱们聊了固态硬盘不同颗粒的问题，也阐明了不同的颗粒虽然擦写次数寿命各有不同，但正常使用下其实即便最差的QLC颗粒也能让你使用好几年。而真正的不同还是在于性能上，那具体不同在哪呢？

首先咱们现在可以发现很多旗舰固态硬盘，比如PCIE4.0协议的固态硬盘，读写速度往往可以超过5000MB/s,但这个速度一般指的是缓外速度，这是什么意思呢？

咱们往固态硬盘拷贝大体积数据的时候，你会发现往往前面速度很快，但拷贝到一定数量的数据之后，就会发生掉速现象，掉速之前的速度，叫做缓内速度，而掉速之后的速度，叫做缓外速度，那这个“缓”指的是什么呢？先给答案:“模拟SLC缓存”，它到底是什么呢？

上期咱们也说过，目前主流的旗舰固态硬盘绝大多数都采用TLC（三层存储单元）颗粒，而TLC在相比于SLC（单层存储单元），虽然可以提供更大的空间，但损失的可不止是擦写次数寿命，还有速度。那TLC颗粒可以达到5000MB/s的速度么？显然是不行，那这是如何办到的呢？

这就要提到模拟SLC缓存技术了，顾名思义，它是把TCL颗粒模拟成SLC颗粒的一种技术，当模拟后，硬盘的读写速度就会有大幅提示，但不能一直模拟，因为当TLC颗粒模拟成SLC颗粒的时候，可用空间将会大大减少，等于说TLC模拟到SLC是拿空间换速度，所以当拷贝完成时，硬盘自己会慢慢将数据腾到非模拟区域，这也就是它为什么叫“模拟”“缓存”的原因。

当然模拟SLC缓存也各有不同，相对高端的硬盘硬盘一般采用的是全盘模拟SLC缓存算法，也就是整块硬盘都可以去进行模拟，对于TLC颗粒的硬盘，理论上所剩空间的三分之一，都可作为模拟SLC缓存空间，为什么是三分之一呢，因为TCL为3bit/cell，SLC为1bit/cell。

而中低端的固态硬盘往往采用的是固定区域模拟SLC缓存，一般在十多个G。当然不论哪种方式，你都会面临掉速问题，所以掉速的原因往往是因为模拟SLC缓存被写满。当硬盘处于缓外速度下时，这才是硬盘本身的真实速度。而在硬盘被写满时，模拟SLC缓存将全部释放为非模拟状态，这也是为什么很多人认为硬盘快写满的时候整体速度会变慢的原因。

而对于模拟SLC缓存的缺点其实也很明显，就是写入放大问题。那什么是写入放大呢？聪明的小伙伴估计已经猜到了，既然把TLC颗粒模拟成了SLC，又已知TLC为3bit/cell、SLC为1bit/cell，那么往固态硬盘里写数据的时候，对于TLC颗粒，实际上是减少了3倍的擦写次数，如果一块TLC的固态硬盘颗粒的理论擦写次数为600次，通过模拟SLC缓存技术之后，那实际上也就可能只有200次的实际擦写次数，这就叫做写入放大。

当然这也只是针对于全盘模拟SLC缓存算法的固态硬盘而言，固定区域模拟SLC缓存的硬盘并没有那么夸张，但上一篇咱们也说了，即便只有200TBW，只要硬盘空间足够大，当做系统盘的问题也不大。而且好在更差的采用QLC颗粒的固态硬盘，很少有采用全盘模拟SLC缓存算法的。

但话说回来，QLC颗粒为4bit/cell，这代表着它的写入放大问题会更严重，并且在性能表现上，它的掉速会来的更早。

除了模拟SLC缓存，其实影响固态硬盘速度因素还有很多，比如咱们一直所说的颗粒类型，SLC最快，QLC最慢，当然同样的颗粒类型，素质也不同，所以有快有慢。再比如说硬盘的容量，同型号的固态硬盘你会发现往往容量越大速度越快，但这不是绝对的，这是因为同型号的固态硬盘，容量越大，闪存CE引脚在一定程度上就越多，而CE引脚就可以简单的理解为是颗粒的通讯通道，引脚越多，理论读写速度在一定程度内就越快。

最后就是颗粒的数量，有的低端固态硬盘就是单独的颗粒，有的高端的固态硬盘上有好几颗，而多颗粒的固态硬盘实际内部是组了个磁盘阵列，速度就会快很多。

但作为硬盘，尤其是作为系统盘，小文件的4K读写更重要，系统运行的快不快，在硬盘这主要看的就是4K性能，而4K性能除了相关上述内容外，还得看固态硬盘的独立缓存，有无独立缓存芯片决定着4K性能的高低，并不是所有固态硬盘都有独立缓存，目前中低端的很多已经采用无独立缓存方案了，而高端硬盘还都是具备的。但是按照目前固态硬盘的发展来看，随之技术的提升，无独立缓存将是未来的趋势。

固态硬盘性能方面介绍完了，下期就是最后一个问题，固态硬盘对于数据存储的安全性。

固态硬盘决定电脑的什么性能（固态硬盘的好坏对电脑有什么影响）

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